标准金属镀层
提供金属镀层
TiW / 钛钨 = 300–800Å (0.03–0.08µm)
Cr / 铬 = 300–800Å (0.03–0.08µm)
TaN / 氮化钽 = 10–200 ohms/square are available.50–75–100 ohms/square standard. Typical TCR = -100 ± 50ppm/°C
Ni / 镍 = 1,000–10,000Å (0.1µm–1µm)
Pd / 钯 = 1,000–10,000Å (0.1µm–1µm)
Pt / 铂金 = 1,000–10,000 Å (0.1µm–0.1µm)
Au /金 = 20–500µ" (0.5µm–12.7µm)
具体如下:
TiW / Au
导体功能应用于Au/Sn, Au/Ge, Au/Si和环氧树脂为材质的附著,粘合性好、不适合PbSn焊料。
TiW/Ni/Au
应用于导体功能PbSn焊接, Au/Sn, Au/Ge, Au/Si和环氧树脂为材质的附著。有可能在大于300°C时,由于Ni-Au层的扩散会影响到粘合性能。
TaN/TiW/Au
用于基片需要集成电阻器。电阻值在450°C稳定。良好的Au/Sn, Au/Ge, Au/Si和环氧树脂附著。粘结性好,不适合PbSn焊料。
TaN/TiW/Ni/Au
用于基片需要PbSn焊料和集成电阻器。在450°C时的电阻值会稳定。金属镀层对PbSn 电焊Au/Sn, Au/Ge, Au/Si和环氧树脂可附著是最好的。有可能在大于300 °C 时,由于Ni-Au层的扩散会影响到粘合的性能。
TaN/TiW/Pd/Au
用于基片需要PbSn焊料和集成电阻器。电阻器在450°C 时会稳定。该金属镀层对Au/Si最好会减少共晶浸出,Au/Sn, Au/Ge 和环氧树脂也可附著,有可能在大于300°C 时由于Pd-Au层的扩散会影响到粘合的性能。其他金属镀层和其厚度也可获到.
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